st半导体

　　当英特尔宣布推出用于 AI 的Gaudi 2和Gaudi 3加速器时，它表示总拥有成本将只是 Nvidia H100 的一小部分，但从未透露任何实际数字。在2024 年台北国际电脑展的英特尔主题演讲中，该公司终于公布了其 AI 处理器的定价，看来主板上的八个 Gaudi 2 处理器的成本将低于传闻中的一块 Nvidia B200 的成本。
st半导体推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。

　　SIM（用户身份模块）能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式，而且尺寸随着时间的推移不断缩小，以满足设备制造商节省空间的需求。
出样业界容量密度的新一代 GDDR7 显存。1 美光 GDDR7 采用美光的 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。
st半导体　　另一方面，uSCM(Smart Connection Manager)专为自动通信管理而设计，目的是尽可能地提高性能或降低功耗，例如在通信连接断开后需要重建通信连接时。
　　全新的 R4-50 将上述特质与电子驱动和监控功能进行了结合，可有效验证门板的安全状况。即使在高载荷工况下，门锁也可在一秒之内可靠启动，而电子锁定技术则能够随时帮助用户实现便捷的远程控制驱动功能。在门锁闭合且门锁钢片归位的情况下，内置式传感器将与系统进行通信，以确认门板是否已经锁固。整个电子驱动系统采用了密封式设计，防止环境条件对其造成影响。
CoolMOSS7TA 功率晶体管的优化利用不仅确保了出色的性能，还实现了对输出级的精准控制。这种精准度是降低功耗和能源成本的关键，也是汽车应用中亟需解决的问题，因为效率直接转化为汽车的续航里程和运行经济性。与传统的机电式继电器相比，CoolMOS? S7TA的总功耗实现了大幅降低。

　　智能制造应用产品系列：凌华智能的AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server )专为智能制造设计，驱动AI革新数字转型，提升生产灵活性和应变能力。
st半导体　　PA16F采用导电塑料电阻芯，适用于音频应用，P16F金属陶瓷旋钮电位器适用于工业电机驱动、焊接设备、暖通空调和照明系统以及控制面板。器件全密封符合IP67标准，能够在极端环境条件下可靠工作。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。