xilinx的fpga芯片系列

　　Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
xilinx的fpga芯片系列PWM调光支持高辉应用，支持1K以上的PWM调光频率，分辨率超过1000:1,芯片设计数转模调制功能，调光全程无频闪。当PWM拉低到GND超过40ms芯片自动进入休眠模式以降低功耗，此时待机电流<2uA，当PWM端口拉高以后芯片重新启动。PWM管脚不能悬空，不使用PWM调光应用时应接入高电平保证开机正常工作状态。VDD端口可以为外围的PWM控制芯片供电。 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
　　Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。
　　无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy Ring或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更精准，戒指的续航还会进一步延长。
xilinx的fpga芯片系列我们的完整MX-DaSH产品组合，通过将电源和高速数据传输整合到单个连接器系统中，为汽车设计师提供了重新构想汽车电子设备的机会。这不仅大大缩小了设备尺寸，还节省了设备空间、成本和劳动力。我们的整体思路是：允许设计师混搭不同类型的端子，从而提供更大的设计自由度和灵活性，以便支持分区架构并简化线束布局。
多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率密度和高效率的紧凑型设计。
基于BridgeSwitch-2的电机驱动具有非常低的待机功耗，使设计人员能够满足新出台的欧盟ERP法规要求。在整个负载范围内，BridgeSwitch-2 IC的效率也远高于基于IGBT的IPM模块。

而欧洲用电产品(EuP)指令规定的待机功耗标准为低于300mW，这就为某些需要执行必要功能的应用场景提供了更多的可用待机功率。
xilinx的fpga芯片系列　　Power Integrations符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列包括额定耐压1700V的器件，其内部集成碳化硅(SiC)初级开关MOSFET，可使灵敏控制电路安全地从800V电池中取电。
这一全新的Rambus服务器 PMIC 芯片产品系列与 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和温度传感器 IC 一起组成一个完整的内存接口芯片组，适用于各种DDR5 RDIMM 配置和用例。
　　“LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时，还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能，为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示。“三星将持之以恒地与客户密切合作，不断创新，提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。