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该变压器具有通孔端子和多种封装尺寸，广泛应用于开关模式电源以及DC/DC和AC/DC转换器。这些变压器专为恶劣环境而设计，采用具有模制绕组的坚固封装设计，以及高达130 °C的工作温度，并且通过了MIL-STD-981。SGTPL-2516系列变压器的工作频率为80 kHz至300 kHz，高介电耐受电压为1500 VAC，功率为150 W，漏感为0.5 mH。
onsemi SIM和嵌入式SIM (eSIM) 解决方案不仅确保了蜂窝连接的安全性，还可保证其无缝部署，极大地优化了用户的日常体验。无论是消费产品、M2M和工业应用（包括资产跟踪和智能表计），还是车载紧急呼叫 (eCall) 等汽车级解决方案，SIM和eSIM都极大地简化了设备监控，为各行各业的数字化转型提供了有力支持。
基于盘控协同架构，网络数据直通NVMe SSD，进一步提升单盘带宽；在数据归档与管理阶段，AS13000G7-N提供了多元异构存储的统一纳管能力，保障数据资产高效存储与管理，大幅提升存储资源的利用率且化数据基础设施投资回报比。
AC7801x是杰发科技基于Arm Cortex-M0+内核推出的车规级MCU，出货量超三千万颗，通过ISO 26262 ASIL B产品。AC7801x拥有128KB Flash，20KB RAM，1路CAN-FD/ CAN，提供QFN32和LQFP48两种封装。
与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
onsemi 可以通过 SPI 端口设置栅极驱动电流，控制压摆率，限度地减少电磁辐射和耗散功率。在设置传统驱动器的压摆率时，通常会用到外部元器件，而新驱动器的电流设置功能可以让每个 MOSFET节省多达四个外部分立元器件。170mA 的驱动电流使设计人员能够灵活地使用驱动器配合各种外部 MOSFET开关管，包括具有大栅极电容的高功率器件。
GD32F5系列高性能MCU配备了7.5MB的片上Flash及1MB的SRAM，其中包含2MB可配置零等待执行区(Code-Flash)，有效提升代码处理效率和实时性；还提供了更大的Data-Flash空间用于备份及参数存储。SRAM/Flash 全区支持ECC校验，以保障完整存储空间的稳定可靠，有效应对各类复杂的工业应用环境。
M-LB-4000浪涌保护系统集成了多个功能——模块化、环路断开和信号线故障监控功能，可达到SIL 3级（基于IEC/EN 61508标准）。该设备可限制信号线上各种原因（如雷击或开关操作）引起的感应瞬态。双通道模块支持更高的设备可用性： 由于保护功能完全置于插入式保护模块中，因此更换时无需重新布线。
此外，e络盟还提供Murata的NME1、NMR1和NMV1产品，这些1W 5V至5V隔离式直流-直流转换器产品经济高效，工作温度范围更大，从-40°C至115°C。该系列的电隔离非常适合隔离和/或转换直流电源轨道，使设备能够配置为在只有正轨存在的系统中提供隔离的负轨。
onsemi此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi 6、BT/BLE的连接和Matter协议等。PSOCEdge E81 采用ArmHelium DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC Edge E83和E84内置Arm Ethos-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex-M系统相比，其机器学习性能提升了480倍，并且它们支持英飞凌NNlite神经网络加速器，适用于低功耗计算领域的机器学习应用。
RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% – 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。