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在数据准备阶段，在规模大、来源广泛、格式多样的原始数据中，筛选和清洗出利用于训练的高质量数据常会耗费大量时间；在模型训练阶段，海量小文件数据加载、Checkpoint数据调用对IO处理效率提出严苛要求；模型训练之后，多个数据资源池无法互通、海量冷数据归档带来较高的数据管理复杂度。
renesas瑞萨　　英飞凌科技股份公司推出了一系列适用于工业和消费电机控制以及电源转换系统应用的新型微控制器 (MCU)。基于 Arm Cortex -M33 内核的PSOC控制 MCU提供板载功能，旨在提高下一代电机控制和电源转换系统的性能和效率。这些应用包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器以及照明和计算/电信电源。
　　电感器符合AEC-Q200标准，工作电压高达 500 VDC，适用于DC/DC转换器、逆变器、电机和开关噪声抑制，典型应用包括电动（EV）和混合动力汽车（HEV）车载充电器等大电流、高温车载系统。

先进的封装、集成屏蔽盖和采用更易散热、信息不易抹除的镭雕工艺，使FGS061N成为大规模自动化制造的优选产品，再加上其紧凑的尺寸和较宽的工作温度范围，FGS061N在成本与效率上得到双重保障，适用于各种智能家居和工业应用。
　　为了帮助相连设备之间实现正确配置与通信，该产品具有专用显示数据通道/辅助通道 (DDC/AUX) 管脚与热插拔检测 (HPD) 管脚，连接成功时可让设备自动辨识。
renesas瑞萨　　TDK 公司（TSE：6762）推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 – 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。
　　PI3WVR14412Q 符合汽车规格* – 符合 AEC-Q100 第 2 级标准，在 IATF 16949 的厂房中制造，并支持 PPAP 文件。宽广的工作环境温度范围 (-40°C 至 105°C)允许把该器件置于严酷的环境中或暴露在阳光直射下。
　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

　　有分析人士认为，三星采用联发科的AP并非仅仅出于性能考虑，而是一种与高通谈判降低销售价格的战略举措，高通是三星的AP供应商。去年，AP成本在三星智能手机生产成本中的占比从10%左右上升到20%左右。这很大程度上是由于三星自主研发的AP Exynos的份额减少，以及骁龙的采用增加。
renesas瑞萨　　RZ/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的Renesas专有DRP（动态可重新设定处理器）-AI3 AI加速器。此外，该处理器还集成了四个Arm? Cortex?-A55 CPU核心，工作频率为1.8 GHz，是专为Linux应用处理而量身定制的。为实现高效能实时处理，该处理器采用了两个800 MHz运行频率的Cortex-R8核心和一个作为子核心运行的Cortex-M33核心。该装置将这些核心集成到单个芯片中，可有效地管理视觉AI和实时控制任务，成为要求苛刻的机器人应用的理想选择。
　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
　　此次发布的SC535IoT采用2592Hx1944V分辨率设计，以4:3画幅规格提供更大的垂直空间，并支持双目拼接，更好地赋能球形全景相机与鱼眼摄像头等物联网新机型，为家用IoT摄像头以及其他物联网场景的高效运作提供关键的支持。