理论上，NAND芯片的堆叠层数越多，其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低，在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上，美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注. 德州仪器中国 株式会社村田制作所开发了一款低损耗多层陶瓷电容器（MLCC）新品，该产品支持100V的额定电压，具有0402M的超小尺寸（0.4 x 0.2mm），主要用于无线通信模块，并于2024年2月开始量产。 与上一代解决方案相比，日前发布的接近传感器封装面积减小20%、待机电流降低20%仅为5 μA，阳光抵消量提高40%达 阅读更多…
这些LDO稳压器均具有系统保护和管理功能，包括内部电流限制、热保护、软启动和输出主动放电。 有一个用于关断控制的使能引脚和一个用于诊断监控的电源正常引脚。 LDQ40 器件还具有短路保护功能。 xilinx vitis 常规的家用物联网摄像头只能在检测到运动或特定事件发生时才会启动录像或通知用户，因此无法满足用户随时了解家中情况的安全需求。 此外，紧凑的设计可以帮助节省PCB空间。仅使用“SCH16T-K01”就能实现3轴陀螺仪传感器和3轴加速度传感器的正交性能得到保证的6DoF（6 Degrees Of Freedom是指物体在3维空间中能够获取的运动自由度）。 此外，三星和金山办 阅读更多…
DDR5内存模块采用了新的芯片技术，可在目标功耗范围内提供更高水平的内存性能。Rambus是一家成熟的模组内存接口芯片量产供应商，能够随时为DDR5内存模组制造商提供关键的PMIC组件。 stc89c52单片机介绍 OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。 HAL/HAR 3936 符合 ISO 26262:2018 标准的 SEooC（独立安全单元）ASIL C 级，确保与 ASIL D 级的汽车安全要求兼容。该传感器专为在恶劣环境中运行而设计，在 阅读更多…
CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压（VGS(th)，典型值为4.3 V）与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。 winbond 25q128 这些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，是涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、计量以及其他数学和数据密集型功能的应用的选择。这些器件的容量从64 Kb到4 Mb不等，支持 SP 阅读更多…
可穿戴终端作为佩戴在身体上的设备，在被要求小型化、高性能化的同时，还要长时间运行。特别是对于 TWS，还要求多功能化，如降噪功能、支持高分辨率音频、拆装检测和位置信息获取等各种传感器的高度化等。 rohm代理商全新 CRF 系列大电流金属条 Jumper。Jumper也称为零欧姆电阻，具有极低阻值，用于连接 PCB 上无法通过印刷线路连接的分隔点。与厚膜 Jumper 相比，Bourns 符合 AEC-Q200 标准的新型大功率 Jumper 具有更大的额定电流和更低的电阻，非常适合广泛的消费、工业、电信和汽车设计。 该公司表示，PSOC Control系列还支持基于宽带隙（WBG）技术的 阅读更多…
为实现这些效率与尺寸上的突破，我们利用了自有的五结 VCSEL 技术，使每个照明器模块能够达到 200 W 的输出功率。我们现在已开发出演示产品，可供客户进行评估、并更好地设想新技术所支持的愈来愈多应用场景。 www.xilinx这不仅大大地提升了测试环境的空间利用率和工作效率，还意味着在成本控制和设备投资上的显著优势。用户就如同拥有了两台高性能直流电源，真正实现了一机多用的高价值。 LEXI-R10系列小型LTE Cat 1bis模块为全球通信发展提供支持。全新SARA-R10系列可用于从传统2G/3G设计轻松迁移到新网络，并推出了具有全面室内/室外追踪功能的型号。 此外，RG255 阅读更多…
以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。 maxim芯片此外，可读性从0.05g到100g不等，并可在不同的表面处理和量程范围从1.5kg到300kg之间进行选择 阅读更多…
基于强大性能，Reno12 系列可支持荣耀 120 帧高清画质下的持久流畅，并支持逆水寒手游 ProXDR 光影显示，为手游带来 HDR 的全新视觉体验。 maxim美信 该工艺还可以降低插入损耗，通常在 5GHz 时可降低至 0.6dB。 这是在 25°C 时，值为 0.9dB。在 -40 至 +95?C 的整个温度范围内，从 0.7 至 3GHz 增加到 0.8dBmax，从 3 至 5GHz 增加到 1dBmax。 AVRH16A2C270KT200NA8压敏电阻旨在为CAN总线上的电子元器件提供支持，其具有二合一阵列结构，将两个压敏电阻的功能集成于单一元件中。此外，本产品采用 阅读更多…
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。 realtek声卡芯片排名 全新AS -8125GS-TNMR2服务器提供使用者存取、运用8个AMD Instinct? MI300X加速器。此系统也搭载两颗AMD EPYC? 9004系列处理器，具有128个核心/256个线程，以及6TB的内存。在每个AMD Instinct MI300X加速器内，每颗GPU具有192GB 阅读更多…
HAL/HAR 3936 提供作为单芯片设备的 SOIC8 SMD 封装和用于双芯片版本的 SSOP16 SMD 封装，为要求苛刻的 3D 位置传感应用场景提供了可靠且多功能的解决方案。 modelsim altera 而三星Galaxy Z Flip6在灵动多变、便捷易用的体验上更进一步，助力用户尽情释放个性与创意表达。依托Galaxy AI与大视野智能外屏、立式自由拍摄系统等标志性体验的创新结合，三星Galaxy Z Flip6为用户在更多生活场景中带来更为新颖、有趣的AI功能与体验。 Coherent I-temp 100G ZR QSFP28-DCO 收发器专为在边缘和接入网 阅读更多…